SSD, smartphone : Kioxia et Western Digital préparent de la NAND à plus de 300 couches
Pour ce faire, il est question d'une technique dite « MILC » pour Metal Induced Lateral Crystallization, ce qui donne dans un français très approximatif : cristallisation latérale induite par le métal. Là, les deux partenaires parlent de canaux de silicium monocristallins de 14 microns de long (« macaroni »). Le « bruit de lecture » serait réduit de 40 %, la conductance du canal décuplée, tout cela sans que la fiabilité de la cellule ne soit sacrifiée.
Enfin, et c'est le clou du spectacle, il est question de NAND 3D à plus de 400 couches. Là, on parle d'un nouveau procédé mis au point par Tokyo Electron, lequel prévoit de « percer rapidement des canaux verticaux de plus de 10 microns », pour reprendre les propos de nos confrères de chez Tom's Hardware. Nous n'en saurons guère plus pour le moment, si ce n'est la production de nœuds NAND 3D à plus de 400 couches en réduisant l'empreinte carbone de 84 % par rapport aux procédés en usage actuellement.
Source: Clubic
